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日立イオンミリング装置
イオンミリング装置 IM4000II

日立ハイテク

ガス使用工事電源確認

IM4000II

日立イオンミリング装置のスタンダードモデル
IM4000IIは、断面ミリングと平面ミリング（フラットミリングⓇ※）に対応しています。冷却温度調整機能や雰囲気遮断ホルダユニットなど、各種オプションにより、さまざまな試料の断面試料作製が可能です。
中小企業等経営強化法に基づく支援措置の対象製品（生産性向上設備（A類型））です。

※フラットミリングⓇは、日本国内における株式会社日立ハイテクの登録商標です。

特長

  • 高ミリングレート
    IM4000IIは500μm/h※1以上の断面ミリングレートを実現したイオンガンを搭載しています。硬質材料の断面試料作製に有効です。
  • ハイブリッドミリング
    断面ミリング：
    硬度やミリングレートが異なる組成で構成される複合材料でも平滑な断面試料を作製可能
    加工条件の最適化でダメージを軽減
    最大W20×D12×H7mmの試料を搭載可能
    平面ミリング（フラットミリングⓇ）：
    直径約5mmの範囲を均一に加工
    目的にあわせた幅広い用途に利用可能
    最大直径50mm×厚さ25mmの試料を搭載可能

※1：マスクエッジからSiを100μm突出させて1時間加工した際の加工深さ。
　　　　
型式・型番 IM4000II
使用ガス Ar（アルゴン）ガス
Arガス流量制御方式 マスフローコントローラー
加速電圧 0.0～6.0kV
断面ミリング 最大ミリングレート（材料Si）：500μm/h※1以上
最大試料サイズ：W20×D12×H7mm
試料移動範囲：X±7mm、Y0～+3mm
平面ミリング 最大照射範囲：φ32mm
最大試料サイズ：φ50×H25mm
イオンビーム偏心量：X0～＋5mm
オプション 冷却温度調整機能※2、高ビーム耐性マスク（Co-ZeroⓇ）※3、加工観察用実体顕微鏡
サイズ・重量 W616×D736×H312mm　本体53kg＋ロータリーポンプ30kg
電源 単相AC100V（±10％）　50/60Hz　1.5kVA　3Pプラグコード
価格 お問い合わせください
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※1：マスクエッジからSiを100μm突出させて1時間加工した際の加工深さ。
※2：本体同時出荷オプション。冷却温調使用時は、一部機能に制限があります。
※3：Co-ZeroⓇは日本国内における株式会社 日立ハイテクの登録商標です。

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