| 型式・型番 |
JSM-IT810
（HL） |
JSM-IT810
（SIL STANDARD） |
JSM-IT810
（SIL PRIME） |
JSM-IT810
（SHL STANDARD） |
JSM-IT810
（SHL PRIME） |
| 分解能 |
0.7nm（20kV）
1.3nm（1kV）
3.0nm（15kV、5nA、WD10mm） |
0.6nm（15kV）
1.0nm（1kV）
3.0nm（15kV、5nA、WD8mm） |
0.5nm（15kV）
0.7nm（1kV）
3.0nm（15kV、5nA、WD8mm） |
0.6nm（15kV）
1.1nm（1kV）
3.0nm（15kV、5nA、WD10mm） |
0.5nm（15kV）
0.7nm（1kV）
0.9nm（300V）
3.0nm（5kV、5nA、WD10mm） |
| 倍率 |
写真倍率：×10～1,000,000（128×96mm表示時）
表示倍率：×27～2,740,000（1,280×960画素表示時）
|
写真倍率：×25～2,000,000
（128×96mm表示時）
表示倍率：× 69～5,480,000
（1,280×960画素表示時）
|
写真倍率：×10～2,000,000
（128×96mm表示時）
表示倍率：×27～5,480,000
（1,280×960画素表示時） |
| 加速電圧 |
0.01～30kV |
| 標準検出器 |
二次電子検出器（SED）
上方電子検出器（UED） |
二次電子検出器（SED）
上方インレンズ検出器（UID） |
二次電子検出器（SED）
上方インレンズ検出器（UID）
上方電子検出器（UED） |
二次電子検出器（SED）
上方ハイブリッド検出器（UHD） |
| 対物レンズ |
ハイブリッドレンズ |
セミインレンズ |
スーパーハイブリッドレンズ |
分析機能
（オプション一例） |
EDS
Windowless EDS
SXES
EBSD
CL
STEM |
EDS
Windowless EDS
Raman
CL
STEM |
EDS
Windowless EDS
SXES
EBSD
CL
STEM |
| 主な用途 （例） |
磁性体
広域EBSD |
半導体デバイス解析 |
磁性体
EBSD
生物（アレイトモグラフィ、CLEM）
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