| 型式・型番 |
JSM-IT800
（HLバージョン） |
JSM-IT800
（isバージョン）
|
JSM-IT800
（iバージョン） |
JSM-IT800
（SHLsバージョン） |
JSM-IT800
（SHLバージョン） |
| 分解能 |
0.7nm（20kV）
1.3nm（1kV）
3.0nm（15kV, 5nA, WD 10mm） |
0.6nm（15kV）
1.0nm（1kV）
3.0nm（15kV, 5nA, WD 8mm） |
0.5nm（15kV）
0.7nm（1kV）
3.0nm（15kV, 5nA, WD 8mm） |
0.6nm（15kV）
1.1nm（1kV）
3.0nm（15kV, 5nA, WD 10mm） |
0.5nm（15kV）
0.7nm（1kV）
0.9nm（500V）
3.0nm（5kV, 5nA, WD 10mm） |
| 倍率 |
写真倍率
×10～1,000,000
（128×96mm表示時）
表示倍率
×27～2,740,000
（1,280×960画素表示時） |
写真倍率
×25～2,000,000
（128×96mm表示時）
表示倍率
× 69～5,480,000
（1,280×960画素表示時） |
写真倍率
×25～2,000,000
（128×96mm表示時）
表示倍率
×69～5,480,000
（1,280×960画素表示時） |
写真倍率
×10～2,000,000
（128×96mm表示時）
表示倍率
×27～5,480,000
（1,280×960画素表示時） |
| 加速電圧 |
0.01～30kV |
| 標準検出器 |
二次電子検出器（SED）
上方電子検出器（UED） |
二次電子検出器（SED）
上方インレンズ検出器（UID） |
二次電子検出器（SED）
上方インレンズ検出器（UID）
上方電子検出器（UED） |
二次電子検出器（SED）
上方ハイブリッド検出器（UHD） |
| 対物レンズ |
ハイブリッドレンズ |
セミインレンズ |
スーパーハイブリッドレンズ |
分析機能
（オプション） |
EDS
WDS
EBSD
CL |
EDS
WDS
CL |
EDS
WDS
EBSD
CL |
| 主な用途 （例） |
磁性体
広域EBSD |
半導体デバイス解析 |
磁性体
EBSD
生物（アレイトモグラフィ, CLEM） |
| 価格 |
¥78,100,000～ |
¥83,000,000～ |
¥99,600,000～ |
¥89,595,000～ |
¥108,460,000～ |
比較表に入れる |
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お問い合わせ |
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